发明名称 多层凸块结构及其制造方法
摘要
申请公布号 TWI345824 申请公布日期 2011.07.21
申请号 TW096102037 申请日期 2007.01.19
申请人 南茂科技股份有限公司 发明人 鲁选锋
分类号 H01L23/488 主分类号 H01L23/488
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;萧锡清 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1
主权项 一种多层凸块结构的制造方法,包括:提供一基板,该基板具有多个接垫与一保护层,其中该保护层具有多个第一开口,且各该第一开口暴露出该接垫之一部分;在该保护层上形成一第二球底金属材料层,以覆盖该些第一开口所暴露出之该些接垫,在该第二球底金属材料层上形成一第一图案化光阻层,其中该第一图案化光阻层具有多个第二开口,且各该第二开口暴露出对应各该接垫之一部分上方之该第二球底金属材料层;在该些第二开口内形成多个第一凸块;在该基板上方形成一第一球底金属材料层,以覆盖该第一图案化光阻层与该些第一凸块;在该些第一凸块上方之该第一球底金属材料层上形成多个第二凸块,其中该些第一凸块与该些第二凸块的材质不同;图案化该第一球底金属材料层,以形成多个第一球底金属层;移除该第一图案化光阻层;在该保护层上形成一第三图案化光阻层;以该第三图案化光阻层为遮罩,图案化该第二球底金属材料层,以形成该些第二球底金属层,其中各该第二球底金属层的底面积大于各该第一凸块的底面积;以及移除该第三图案化光阻层。如申请专利范围第1项所述之多层凸块结构的制造方法,其中在形成该些第二凸块的步骤中,更包括:在该第一球底金属材料层上形成一第二图案化光阻层,且该第二图案化光阻层具有多个第三开口,分别暴露出该些第一凸块上方之该第一球底金属材料层;在该些第二开口内形成该些第二凸块;以及移除该第二图案化光阻层。如申请专利范围第1项所述之多层凸块结构的制造方法,其中形成该些第一球底金属层的步骤包括以该些第二凸块为遮罩,图案化该第一球底金属材料层,以形成该些第一球底金属层。如申请专利范围第1项所述之多层凸块结构的制造方法,其中该些第一凸块为铝凸块,而该些第二凸块为金凸块。一种多层凸块结构,适于配置于一基板上,该基板具有一接垫与一保护层,其中该保护层具有一第一开口,且该开口暴露出该接垫之一部分,该多层凸块结构包括:一第一凸块,配置于该第一开口内,并与该接垫电性连接;一第一球底金属层,配置于该第一凸块上;一第二球底金属层,配置于该第一开口内,并位于该接垫与该第一凸块之间,其中该第二球底金属层的底面积大于该第一凸块的底面积,且该第一凸块与该第二球底金属层为平坦接触;以及一第二凸块,配置于该第一球底金属层上,且各该第一凸块与各该第二凸块的边缘实质上切齐。如申请专利范围第5项所述之多层凸块结构,其中该第一凸块的面积小于该第一开口的面积。如申请专利范围第5项所述之多层凸块结构,其中该第二凸块的面积小于或等于该第一凸块的面积。如申请专利范围第5项所述之多层凸块结构,其中该些第一凸块为铝凸块,而该些第二凸块为金凸块。如申请专利范围第5项所述之多层凸块结构,其中该基板包括晶片或晶圆。
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