| 主权项 |
一种光罩之制造方法，其特征系包含：准备在透明基板上形成有光罩图案之光罩；藉由测定前述图案之尺寸的光罩面内分布，产生图案尺寸图；藉由将前述图案之形成区域区分成复数区域，对应于各区域的图案尺寸而分别在前述各区域决定透光率修正系数，产生透光率修正系数图；从前述图案尺寸图与前述透光率修正系数图求出对前述各区域的透光率修正值；依据前述透光率修正值，改变对应前述透明基板的前述各区域之区域透光率。如请求项1之光罩之制造方法，其中前述光罩图案系半色调图案或遮光体图案。如请求项1之光罩之制造方法，其中为决定前述透光率修正系数，对应于前述复数区分的各区域内的平均图案间距而决定透光率修正系数。如请求项1之光罩之制造方法，其中为产生前述透光率修正系数图，求出在将前述光罩图案转印至半导体晶圆上时用以表示光罩上的尺寸变动与晶圆上的尺寸变动之关系之光罩误差增大系数，以该光罩误差增大系数为基础而决定前述各区域的透光率修正系数。如请求项4之光罩之制造方法，其中选择使用前述复数区分的各区域内的复数图案的平均MEF值、最高MEF值、或平均MEF值与最高MEF值之间之值，来作为表示前述光罩误差增大系数之MEF值。如请求项3之光罩之制造方法，其中为产生前述图案尺寸图，在决定前述透光率修正系数时，在比所区分区域大的各区域测定前述图案尺寸。如请求项1之光罩之制造方法，其中为改变前述透明基板的透光率，将雷射光聚光于前述透明基板而在该透明基板内形成异质区域。如请求项1之光罩之制造方法，其中为改变前述透明基板的透光率，利用离子植入法，将离子植入前述透明基板内。如请求项1之光罩之制造方法，其中前述图案尺寸图决定实际图案对所希望图案之相对值。一种光罩之制造方法，其特征系包含：准备在透明基板上形成有由半色调膜所构成之光罩图案之光罩；将前述图案形成区域区分成复数区域，在各区域，求出在将前述光罩图案转印至半导体晶圆上时用以表示光罩上的尺寸变动与晶圆上的尺寸变动之关系之光罩误差增大系数，选择使用各区域内的复数图案中的最大MEF值，来作为表示前述光罩误差增大系数之MEF值以所选择之最大MEF值为基础而分别决定前述各区域的透光率修正系数，藉以产生透光率修正系数图；在决定前述透光率修正系数时，在比所区分区域大的各区域测定前述图案尺寸，藉以产生用以表示前述图案尺寸的光罩面内分布之图案尺寸图；从前述图案尺寸图与前述透光率修正系数图，求出对前述各区域之透光率修正值；依据前述透光率修正值，改变对应前述透明基板的前述各区域之区域透光率。一种半导体装置之制造方法，其特征系包含：准备在透明基板上形成有光罩图案之光罩；藉由测定前述图案尺寸的光罩面内分布，产生图案尺寸图；将前述图案形成区域区分成复数区域，对应于各区域的图案尺寸而分别在前述各区域决定透光率修正系数，藉以产生透光率修正系数图；从前述图案尺寸图与前述透光率修正系数图求出对前述各区域的透光率修正值；依据前述透光率修正值，改变对应前述透明基板的前述各区域之区域透光率；使用已改变前述透明基板的透光率之光罩，将前述光罩的图案转印至晶圆上。如请求项11之半导体装置之制造方法，其中前述光罩图案系半色调图案或遮光体图案。如请求项11之半导体装置之制造方法，其中为决定前述透光率修正系数，对应于前述复数区分的各区域内的平均图案间距而决定透光率修正系数。如请求项11之半导体装置之制造方法，其中为产生前述透光率修正系数图，求出在将前述光罩图案转印至半导体晶圆上时用以表示光罩上的尺寸变动与晶圆上的尺寸变动之关系之光罩误差增大系数，以该光罩误差增大系数为基础而决定前述各区域的透光率修正系数。如请求项14之半导体装置之制造方法，其中选择使用前述复数区分的各区域内的复数图案的平均光罩误差增大系数(MEF)值、最高MEF值、或平均MEF值与最高MEF值之间之值，来作为表示前述光罩误差增大系数之MEF值。如请求项13之半导体装置之制造方法，其中为产生前述图案尺寸图，在决定前述透光率修正系数时，在比所区分区域大的各区域测定前述图案尺寸。如请求项11之半导体装置之制造方法，其中为改变前述透明基板的透光率，将雷射光聚光于前述透明基板而在该透明基板内形成异质区域。如请求项11之半导体装置之制造方法，其中为改变前述透明基板的透光率，利用离子植入法，将离子植入前述透明基板内。如请求项11之半导体装置之制造方法，其中前述图案尺寸图决定实际图案对所希望图案之相对值。 |
