| 发明名称 | 磁场检测元件及信号传递元件 | ||
| 摘要 | 一种磁场检测元件及信号传递元件，为提高具有由磁致电阻效果材料构成的磁致电阻效果部(10a)、和连接配设于磁致电阻效果部(10a)的两侧且向磁致电阻效果部(10a)供给磁通的由软磁性材料构成的一对磁轭部(11a、12a)的磁场检测元件(7a)的线形性，设置由软磁性材料构成的旁通部(13a)，该旁通部感应在磁轭部(11a、12a)产生的磁通的一部分，使磁致电阻效果部(10a)迂回，以比磁轭部(11a、12a)更低的磁场强度使磁通饱和。 | ||
| 申请公布号 | CN102132168A | 申请公布日期 | 2011.07.20 |
| 申请号 | CN200980132270.5 | 申请日期 | 2009.09.29 |
| 申请人 | 欧姆龙株式会社;财团法人电气磁气材料研究所 | 发明人 | 今谷浩史;山元政昭;仲真美子;金田安司;白川究 |
| 分类号 | G01R33/09(2006.01)I;G01R33/02(2006.01)I;H01L43/08(2006.01)I | 主分类号 | G01R33/09(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 一种磁场检测元件，其特征在于，具有：磁致电阻效果部，其由磁致电阻效果材料构成；一对磁轭部，其由软磁性材料构成，电连接地配设于所述磁致电阻效果部的两侧，向所述磁致电阻效果部供给磁通；旁通部，其由软磁性材料构成，感应在所述磁轭部产生的磁通的一部分，使所述磁致电阻效果部迂回，以比所述磁轭部更低的磁场强度使磁通饱和。 | ||
| 地址 | 日本京都府 | ||