发明名称 |
硅晶片的蚀刻废水处理方法以及处理装置 |
摘要 |
本发明的课题在于,在向硅晶片的蚀刻废水中添加酸而析出二氧化硅并对该析出的二氧化硅进行固液分离的方法中,能够实现减少凝聚剂的必要添加量、减少生成污泥的容积、降低污泥含水率和提高脱水性,且实现处理水质的稳定。为了解决该课题,将酸与部分固液分离污泥混合后将其添加到硅晶片的蚀刻废水中。通过向污泥中添加并混合酸,利用酸对污泥表面进行改性,由此使二氧化硅在污泥表面析出,其结果,能够最低限度地抑制被污泥所吸取的水量。因此,能够得到含水率低且脱水性优异的污泥,且凝聚剂的必要添加量减少,由此污泥生成量也会减少,且污泥的固液分离性得到提高,从而处理水质也稳定。 |
申请公布号 |
CN102126764A |
申请公布日期 |
2011.07.20 |
申请号 |
CN201010577683.9 |
申请日期 |
2010.12.03 |
申请人 |
栗田工业株式会社 |
发明人 |
林一树;一柳直人;长井悟 |
分类号 |
C02F1/00(2006.01)I;C02F9/04(2006.01)I |
主分类号 |
C02F1/00(2006.01)I |
代理机构 |
隆天国际知识产权代理有限公司 72003 |
代理人 |
菅兴成;吴小瑛 |
主权项 |
一种硅晶片的蚀刻废水处理方法,是利用氢氧化钠水溶液对硅晶片进行蚀刻时所排出的、含有硅酸钠和氢氧化钠的废水中添加酸而析出二氧化硅,并对该析出的二氧化硅进行固液分离的处理方法,其特征在于,将所述酸作为与被固液分离的部分污泥的混合物而添加到所述废水中。 |
地址 |
日本国东京都 |