| 主权项 |
一种薄膜电晶体基板，其包括一绝缘基底、复数闸极线、复数抗干扰导线及复数资料线，该抗干扰导线绝缘设置于该闸极线与该资料线之间，且其相对于该闸极线设置，该抗干扰导线与该闸极线重叠，该抗干扰导线之电压讯号与该闸极线之电压讯号反相。如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体基板，其中，该抗干扰导线与该闸极线之距离小于该抗干扰导线与该资料线之距离。如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体基板，其中，该抗干扰导线之电压讯号之绝对值小于该闸极线之电压讯号之绝对值。如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体基板，该抗干扰导线之宽度小于该闸极线之宽度。如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体基板，其中，该抗干扰导线之电压讯号与该闸极线之电压讯号时时反相。如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体基板，其中，该抗干扰导线设置于该闸极线的正上方。一种降低两金属线之间的电压讯号干扰之方法，其步骤包括：提供相邻之一第一金属线及一第二金属线；设置一抗干扰导线于该第一金属线与第二金属线之间，且该抗干扰导线之电压讯号与该第一金属线之电压讯号反相，该抗干扰导线之电压讯号之绝对值小于该第一金属线电压讯号之绝对值。如申请专利范围第7项所述之降低两金属线之间的电压讯号干扰之方法，其中，该抗干扰导线与该第一金属线之距离小于该抗干扰导线与该第二金属线之距离。如申请专利范围第7项所述之降低两金属线之间的电压讯号干扰之方法，其中，该抗干扰导线之宽度小于该第一金属线之宽度。如申请专利范围第7项所述之降低两金属线之间的电压讯号干扰之方法，其中，该抗干扰导线之电压讯号与该第一金属线之电压讯号时时反相。 |
