| 主权项 |
一种半导体装置，系由复数个单位半导体元件所构成之横型半导体装置，其特征在于：个别之该单位半导体元件包括：第1导电型半导体基板；第2导电型半导体区域，设于该半导体基板；第1导电型集极层，设于该半导体区域中；环状第1导电型基极层，从该集极层开始隔着间隔以包围该集极层的方式，设于该半导体区域中；以及第2导电型之第1发射极层，设于该基极层中且呈现环状配置；个别之该单位半导体元件系由在形成于该基极层之通道区域控制该第1发射极层与该集极层间载子之移动的IGBT所构成，且该单位半导体元件彼此相邻而设置。一种半导体装置，系由复数个单位半导体元件所构成之横型半导体装置，其特征在于：个别之该单位半导体元件包括：半导体基板；第2导电型半导体区域，设于该半导体基板；第1导电型集极层，设于该半导体区域中；环状第1导电型基极层，从该集极层开始隔着间隔以包围该集极层的方式，设于该半导体区域中；以及第2导电型之第1发射极层，设于该基极层中且呈现环状配置；个别之该单位半导体元件系由在形成于该基极层之通道区域控制该第1发射极层与该集极层间载子之移动的IGBT所构成，该单位半导体元件彼此相邻而设置，而且在该半导体基板与该半导体区域之间设有绝缘膜。如申请专利范围第1或2项所述之半导体装置，其中上述第1发射极层形成为无端状。如申请专利范围第1或2项所述之半导体装置，其中在上述基极层中设有第1导电型之第2发射极层，以包围上述第1发射极层。如申请专利范围第1或2项所述之半导体装置，其中上述第1发射极层系由环状且无端状之本体区域与从该本体区域突出于外方之凸部区域所组成，并在该凸部区域连接发射极电极。如申请专利范围第1或2项所述之半导体装置，其中在上述半导体区域中设有第1导电型之区域以连接上述基极层之底面。如申请专利范围第5项所述之半导体装置，其中上述凸部区域系以略等间隔而配置于该本体区域之周围，以延伸于上述本体区域之半径方向；而相邻2个该凸部区域之间隔(W1)系大于该凸部区域之宽度(W2)。如申请专利范围第5项所述之半导体装置，其中在上述凸部区域之端部包含延伸于上述本体区域之接线方向之端部区域，且该端部区域与上述发射极电极连接。如申请专利范围第1或2项所述之半导体装置，其中在被相邻2个上述单位半导体元件分别包含之上述第2发射极层、与2个该第2发射极层内之共通接线所包围的区域设有第1导电型之区域。如申请专利范围第1或2项所述之半导体装置，其中在被互相相邻之3个上述单位半导体元件分别包含之上述第2发射极层所包围的区域设有第1导电型之区域。一种半导体装置，系由复数个单位半导体元件所构成之横型半导体装置，其特征在于：个别之该单位半导体元件包括：第1导电型半导体基板；第2导电型半导体区域，设于该半导体基板；第1导电型集极层，设于该半导体区域中；第1导电型之基极层，从该集极开始隔着间隔而设于该半导体区域中；以及第2导电型之第1发射极层与第1导电型之第2发射极层，设于该基极层中；并在形成于该基极层内之通道区域控制该第1发射极层与该集极层间载子之移动；在被相邻2个上述单位半导体元件分别包含之上述第2发射极层、与2个该第2发射极层内之共通接线所包围的区域设有第1导电型之区域。一种半导体装置，系由复数个单位半导体元件所构成之横型半导体装置，其特征在于：个别之该单位半导体元件包括：半导体基板；第2导电型半导体区域，设于该半导体基板；第1导电型集极层，设于该半导体区域中；第1导电型之基极层，从该集极开始隔着间隔而设于该半导体区域中；以及第2导电型之第1发射极层与第1导电型之第2发射极层，设于该基极层中；并在形成于该基极层内之通道区域控制该第1发射极层与该集极层间载子之移动；在该半导体基板与该半导体区域之间设有绝缘膜；在被相邻2个上述单位半导体元件分别包含之上述第2发射极层、与2个该第2发射极层内之共通接线所包围的区域设有第1导电型之区域。一种半导体装置，系由复数个单位半导体元件所构成之横型半导体装置，其特征在于：该单位半导体元件包括：第1区域；包围该第1区域之环状通道区域；以及包围该通道区域之环状第2区域；该单位半导体元件在该通道区域控制该第1区域与该第2区域间载子之移动；该单位半导体元件彼此相邻而设置。 |
