| 发明名称 | 异质结双极晶体管的形成方法及其异质结双极晶体管 | ||
| 摘要 | 一种形成带抬高非本征基区的异质结双极晶体管的方法，包括如下步骤：在P型衬底上形成N+注入区以作为集电区；在所述衬底的表面形成异质外延层以作为本征基区；在所述本征基区上形成N+注入区域以作为发射区；在所述发射区的两侧形成多晶硅栅；在所述多晶硅栅上形成所述异质外延层以作为抬高的非本征基区。根据本发明的异质结双极晶体管形成方法中，在发射区两侧形成多晶硅栅，并且在所述多晶硅之上，以形成抬高的非本征基区。并且，采用CMOS制程中常规的栅极掩模在发射极两侧形成多晶硅栅，因此，根据本发明的异质结双极晶体管形成方法可与现有的BiCMOS制程兼容，并且不需要额外的掩模，结构简单，成本较低。 | ||
| 申请公布号 | CN102110606A | 申请公布日期 | 2011.06.29 |
| 申请号 | CN201110009114.9 | 申请日期 | 2011.01.17 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 陈乐乐;孙涛 |
| 分类号 | H01L21/331(2006.01)I;H01L29/737(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/331(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种形成带抬高非本征基区的异质结双极晶体管的方法，其特征在于，包括如下步骤：(a)在P型衬底上形成N+注入区以作为集电区；(b)在所述衬底的表面形成第一异质外延层以作为本征基区；(c)在所述本征基区上形成N+注入区域以作为发射区；(d)在所述发射区的两侧形成多晶硅栅；(e)在所述多晶硅栅上形成第二异质外延层以作为抬高的非本征基区。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号 | ||