| 发明名称 | 电子混杂器件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及电子混杂器件，以及涉及制造该电子器件的方法，所述方法包括提供包含半导体器件叠层的衬底；在所述衬底上沉积第一材料层，所述第一材料层(3)是绝缘层；在所述第一材料层上沉积活性有机材料层；在所述活性有机材料层上沉积第二材料层，所述第二材料层是绝缘层。 | ||
| 申请公布号 | CN102110643A | 申请公布日期 | 2011.06.29 |
| 申请号 | CN201010546571.7 | 申请日期 | 2010.11.12 |
| 申请人 | 索尼公司 | 发明人 | 雷内·怀兹;西尔维亚·罗塞利;加布里埃尔·内尔斯;尼克劳斯·科诺;佐伊·卡里披都;阿孟和·柏蒙蒂·兹赖 |
| 分类号 | H01L21/77(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/321(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L51/00(2006.01)I;B32B9/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/77(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人 | 李剑 |
| 主权项 | 一种制造电子器件的方法，所述方法包括：提供包含半导体器件叠层的衬底(1)；在所述衬底上沉积第一材料层(3)，所述第一材料层(3)是绝缘层；在所述第一材料层(3)上沉积活性有机材料层(6)；在所述活性有机材料层(6)上沉积第二材料层(8)，所述第二材料层(8)是绝缘层。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||