| 发明名称 | 一种放电管芯片 | ||
| 摘要 | 一种放电管芯片，涉及一种半导体器件的制造技术领域，在N-区的两面分别局部矩阵设置N扩散区，在所述N-区1及N扩散区的另一面分别设置P扩散区，在所述P扩散区内局部分别设置N+扩散区，在所述P扩散区的外周分别设置玻璃钝化区，在所述N+扩散区的另一面分别设置镀膜区，在所述N+扩散区的外侧和P扩散区的外表面分别设置PN结平面SiO2保护区。由于产品是采用双面台面槽结构，产品的结电容低，漏电流控制在几十纳安以下；由于本实用新型结构的特殊性，产品的保护电压可由扩散条件调节和控制，拓宽了产品材料电阻率的使用范围，有效解决了保护电压对材料电阻率的依赖，降低了生产成本。 | ||
| 申请公布号 | CN201868437U | 申请公布日期 | 2011.06.15 |
| 申请号 | CN201020620486.6 | 申请日期 | 2010.11.24 |
| 申请人 | 南通明芯微电子有限公司 | 发明人 | 周明;苏学杰;穆连和;顾理健 |
| 分类号 | H01L29/66(2006.01)I;H01L29/86(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人 | 江平 |
| 主权项 | 一种放电管芯片，其特征在于在N 区的两面分别局部矩阵设置N扩散区，在所述N 区1及N扩散区的另一面分别设置P扩散区，在所述P扩散区内局部分别设置N+扩散区，在所述P扩散区的外周分别设置玻璃钝化区，在所述N+扩散区的另一面分别设置镀膜区，在所述N+扩散区的外侧和P扩散区的外表面分别设置PN结平面SiO2保护区。 | ||
| 地址 | 226634 江苏省南通市海安县老坝港镇工业园区 | ||