GaN基异质结构增强型绝缘栅场效应晶体管及制备方法

摘要

本发明涉及一种GaN基异质结构增强型绝缘栅场效应晶体管及其制备方法。该晶体管包括衬底及设于衬底的外延层，外延层由下往上依次包括应力缓冲层、GaN层及异质层，在异质层表面上形成有绝缘介质层，且在绝缘介质层上定义有栅极区域，栅极区域注有负离子，栅极区域上形成有栅极金属，在异质层表面上通过刻蚀绝缘介质层形成源极区域及漏极区域，该源、漏极区域上形成有源极和漏极。本发明特点是：向栅极区域绝缘层注入负离子，以获得栅极下方2DEG被基本耗尽的结构，实现栅极和源漏极导电沟道平面的自然对准。此方法简单易行，可有效调整阈值电压，且对半导体材料无晶格损伤，更适合于制备高性能GaN基异质结构增强型场效应晶体管。

主权项

一种GaN基异质结构增强型绝缘栅场效应晶体管，包括衬底（1）及设于衬底（1）上的外延层，其特征在于：外延层由下往上依次包括应力缓冲层（2）、GaN层（3）及异质层（4），在异质层（4）表面上形成有绝缘介质层（5），且在绝缘介质层（5）上定义有栅极区域（9），栅极区域（9）注有负离子，且栅极区域（9）上形成有栅极金属（8），在异质层（4）表面上通过刻蚀绝缘介质层（5）形成源极区域及漏极区域，该源、漏极区域上形成有源极（6）和漏极（7）。