交直流转换器的取电电路

主权项

一稳压电容器，该稳压电容器的一端连接于该第二开关元件的该输出接点，该稳压电容器的另一端接地。如申请专利范围第1项所述之交直流转换器的取电电路，其中该整流器可为桥式全波整流器。如申请专利范围第1项所述之交直流转换器的取电电路，其中该整流器可为桥式半波整流器。如申请专利范围第1项所述之交直流转换器的取电电路，其中该分压电路包括彼此串联的一第一电阻和一第二电阻，该第一电阻的一端连接于该整流器的二次侧，该第一电阻的另一端连接于该第二电阻和该第一开关元件的该控制接点，该第二电阻的一端连接于该第一电阻和该第一开关元件的该控制接点，该第二电阻的另一端接地。如申请专利范围第4项所述之交直流转换器的取电电路，其中该第一开关元件和该第二开关元件为N型金氧半导体场效电晶体(N-MOSFET)。如申请专利范围第1项所述之交直流转换器的取电电路，其中更包括有一第二稽纳二极体，该第二稽纳二极体的阴极连接该第一开关元件的该控制接点，该第二稽纳二极体的阳极接地，用以箝制施在该第一开关元件之电压位准。如申请专利范围第6项所述之交直流转换器的取电电路，其中该第一开关元件为N型金氧半导体场效电晶体(N-MOSFET)，该第二开关元件为双极性电晶体(BJT)。如申请专利范围第1项所述之交直流转换器的取电电路，其中该第一开关元件和该第二开关元件为双极性电晶体(BJT)。如申请专利范围第8项所述之交直流转换器的取电电路，其中该第一开关元件与该分压电路之间更具有一第二稳压元件，用以保护该第一开关元件不会因为过大的交流输入电压而损坏。如申请专利范围第1项所述之交直流转换器的取电电路，其中该第一开关元件为双极性电晶体(BJT)，该第二开关元件为N型金氧半导体场效电晶体(N-MOSFET)，该第一开关元件与该分压电路之间更具有一第二稳压元件，用以保护该第一开关元件不会因为过大的交流输入电压而损坏。一种以半导体制程制成的积体化交直流转换器的取电电路，可将来自一交流电源(AC)之高电压的交流输入电压转换为低电压的直流输出电压，包括有：一整流器，该整流器的一次侧耦合连接于该交流电源(AC)，而在该整流器的二次侧输出一直流电源；一感应电路，具有一分压电路和一第一开关元件，该第一开关元件具有一控制接点，一输入接点和一输出接点，该输出接点接地，该分压电路耦合于该整流器的二次侧用以取得该二次侧之直流电源的直流分压，并将该直流分压连接至该第一开关元件的控制接点，当该直流分压小于该第一开关元件的导通电压时该第一开关元件关闭；一控制开关电路，具有一第三电阻、一第一稽纳二极体和一第二开关元件，该第二开关元件具有一控制接点，一输入接点和一输出接点，该第三电阻的一端连接于该整流器的二次侧，该第三电阻的另一端连接于该第一开关元件的该输入接点和该第一稽纳二极体的阴极，该第一稽纳二极体的阳极接地，该第二开关元件的该控制接点连接该第一开关元件的该输入接点及该第一稽纳二极体的阴极，该第二开关元件的该输入接点连接该整流器的二次侧，而该第二开关元件的该输出接点连接于该直流电源输出端，并在该整流器二次侧之直流电源的直流电压低于一预设之参考电压时导通该第二开关元件，反之在该整流器之二次侧之直流电源的直流电压高于该预设之参考电压时，关闭该第二开关元件；以及一稳压电容器，该稳压电容器的一端连接于该第二开关元件的该输出接点，该稳压电容器的另一端接地。如申请专利范围第11项所述之交直流转换器的取电电路，其中该整流器可为桥式全波整流器。如申请专利范围第11项所述之交直流转换器的取电电路，其中该整流器可为桥式半波整流器。如申请专利范围第11项所述之交直流转换器的取电电路，其中该分压电路包括彼此串联的一第一电阻和一第二电阻，该第一电阻的一端连接于该整流器的二次侧，该第一电阻的另一端连接于该第二电阻和该第一开关元件的该控制接点，该第二电阻的一端连接于该第一电阻和该第一开关元件的该控制接点，该第二电阻的另一端接地。如申请专利范围第14项所述之交直流转换器的取电电路，其中该第一开关元件和该第二开关元件为N型金氧半导体场效电晶体(N-MOSFET)。如申请专利范围第11项所述之交直流转换器的取电电路，其中更包括有一第二稽纳二极体，该第二稽纳二极体的阴极连接该第一开关元件的该控制接点，该第二稽纳二极体的阳极接地，用以箝制施在该第一开关元件之电压位准。如申请专利范围第16项所述之交直流转换器的取电电路，其中该第一开关元件为N型金氧半导体场效电晶体(N-MOSFET)，该第二开关元件为双极性电晶体(BJT)。如申请专利范围第11项所述之交直流转换器的取电电路，其中该第一开关元件和该第二开关元件为双极性电晶体(BJT)。如申请专利范围第18项所述之交直流转换器的取电电路，其中该第一开关元件与该分压电路之间更具有一第二稳压元件，用以保护该第一开关元件不会因为过大的交流输入电压而损坏。如申请专利范围第11项所述之交直流转换器的取电电路，其中该第一开关元件为双极性电晶体(BJT)，该第二开关元件为N型金氧半导体场效电晶体(N-MOSFET)，该第一开关元件与该分压电路之间更具有一第二稳压元件，用以保护该第一开关元件不会因为过大的交流输入电压而损坏。