| 主权项 |
一种有机电激发光结构，至少包含有：一第一电极；一第一原色发光图案层，设置于该第一电极之表面，用以产生第一原色光；一第二原色发光图案层，设置于该第一电极之表面，用以产生第二原色光；一第三原色发光暨电子传输层，设置于该第一电极之表面、该第一原色发光图案层之表面，以及该第二原色发光图案层之表面，用以产生第三原色光并一并发挥电子传输之作用，其中该第三原色发光暨电子传输层包含有一主体材料与一掺质材料，且该主体材料之最高占据分子轨域(highest occupied molecule orbital,HOMO)能阶低于或等于该第一原色发光图案层之最高占据分子轨域能阶与该第二原色发光图案层之最高占据分子轨域能阶；以及一第二电极，设置于该第三原色发光层暨电子传输层上。如请求项1所述之有机电激发光结构，其中该第一原色系为蓝色、该第二原色系为绿色，且该第三原色系为红色。如请求项1所述之有机电激发光结构，其中该主体材料之最高占据分子轨域能阶为-6.1 eV，且该第一原色发光图案层之最高占据分子轨域能阶与该第二原色发光图案层之最高占据分子轨域能阶皆为-5.8 eV。如请求项1所述之有机电激发光结构，其中该主体材料之最低未占据分子轨域(least unoccupied molecule orbital,LUMO)能阶低于或等于该第一原色发光图案层之最低未占据分子轨域能阶与该第二原色发光图案层之最低未占据分子轨域能阶。如请求项4所述之有机电激发光结构，其中该主体材料之最低未占据分子轨域能阶为-2.8 eV，且该第一原色发光图案层之最低未占据分子轨域能阶与该第二原色发光图案层之最低未占据分子轨域能阶皆为-2.8 eV。如请求项1所述之有机电激发光结构，其中该掺质材料之最高占据分子轨域能阶高于该主体材料之最高占据分子轨域能阶，且该掺质材料之最低未占据分子轨域能阶低于该主体材料之最低未占据分子轨域能阶。如请求项6所述之有机电激发光结构，其中该主体材料之最高占据分子轨域能阶为-6.1 eV，且该掺质材料之最高占据分子轨域能阶为-5.4 eV。如请求项6所述之有机电激发光结构，其中该主体材料之最低未占据分子轨域能阶为-2.8 eV，且该掺质材料之最低未占据分子轨域能阶为-3.1 eV。如请求项1所述之有机电激发光结构，其中该第三原色发光暨电子传输层具有一不平坦之上表面。如请求项1所述之有机电激发光结构，更包括一电洞注入结构，设置于该第一电极与该第一原色发光图案层、第二原色发光图案层、第三原色发光暨电子传输层之间。如请求项10所述之有机电激发光结构，其中该电洞注入结构包含有一电洞注入层设置于该第一电极之表面，以及一电洞传输层，设置于该电洞注入层之表面。如请求项1所述之有机电激发光结构，另包含有一电子注入层，设置于该第二电极与该第三原色发光暨电子传输层之间。一种制作有机电激发光结构之方法，至少包含有：提供一基板，该基板上包含有一第一电极；于该第一电极之上形成一第一原色发光图案层；于该第一电极之上形成一第二原色发光图案层；全面性地于该第一电极之上、该第一原色发光图案层之表面与该第二原色发光图案层之表面形成一第三原色发光暨电子传输层，其中该第三原色发光暨电子传输层包含有一主体材料与一掺质材料，且该主体材料之最高占据分子轨域(highest occupied molecule orbital,HOMO)能阶低于或等于该第一原色发光图案层之最高占据分子轨域能阶与该第二原色发光图案层之最高占据分子轨域能阶；以及于该第三原色发光暨电子传输层上形成一第二电极。如请求项13所述之方法，其中该该第一原色发光图案层、该第二原色发光图案层与该第三原色发光暨电子传输层系利用蒸镀制程加以制作。如请求项13所述之方法，其中形成该第一原色发光图案层与该第二原色发光图案层之步骤包含使用一图案化遮罩。如请求项13所述之方法，其中该第一原色系为蓝色或绿色、该第二原色系为绿色或蓝色，且该第三原色系为红色。如请求项13所述之方法，其中该第三原色发光暨电子传输层具有一不平坦之上表面。如请求项13所述之方法，另包含有于形成该第一原色发光图案层之前，先于该第一电极之表面形成一电洞注入结构。 |
