| 主权项 |
一种光学式奈米热压印制程，至少包括：提供一模仁，其中该模仁具有相对之一第一表面以及一第二表面，且该模仁之该第一表面设有一压印图案；形成一加热光源吸收层于该模仁之该第一表面上；提供一基板，其中该基板具有相对之一第一表面与一第二表面，且该基板之该第一表面上设有一高分子材料层；将该模仁放置在该基板上，并使该模仁之该第一表面与该基板之该第一表面彼此相对；从该基板之该第二表面对该基板施加一压力；提供一加热光源，使该加热光源从该模仁之该第二表面朝该第一表面入射光，以加热该模仁与该加热光源吸收层，并将该模仁之该压印图案转印至该高分子材料层中；以及移除该模仁。如申请专利范围第1项所述之光学式奈米热压印制程，其中该模仁之材质为矽晶圆、包含所有高分子聚合物(polymer)系列材质、有机材料、塑胶材料、半导体材料、金属材料、石英、玻璃材料、陶瓷材料、无机材料、具导电材质、或上述材料中两者或两者以上所合成之材料。如申请专利范围第1项所述之光学式奈米热压印制程，其中该压印图案为微米尺寸或奈米尺寸。如申请专利范围第1项所述之光学式奈米热压印制程，其中形成该加热光源吸收层之步骤系利用涂布法(coating)、印刷法(Printing)、物理沉积法(Physical Deposition)、化学沉积法(Chemical Deposition)或离子布植法(Ion Implantation)法。如申请专利范围第1项所述之光学式奈米热压印制程，其中该加热光源吸收层系一金属层。如申请专利范围第1项所述之光学式奈米热压印制程，其中该加热光源吸收层系一半导体材料、陶瓷材料、有机材料、塑胶材料、高分子材料、具导电材质、无机材料、或上述材料中两者或两者以上所合成之材料。如申请专利范围第1项所述之光学式奈米热压印制程，其中该加热光源吸收层系由一离子植入材料所组成。如申请专利范围第1项所述之光学式奈米热压印制程，其中该基板之材质为半导体材料、金属材料、石英、玻璃材料、陶瓷材料、有机材料、塑胶材料、高分子材料、具导电材质、无机材料、或上述材料中两者或两者以上所合成之材料。如申请专利范围第1项所述之光学式奈米热压印制程，其中该基板之材质为矽。如申请专利范围第1项所述之光学式奈米热压印制程，其中设置该高分子材料层时，系利用涂布法、印刷法、物理沉积法或化学沉积法。如申请专利范围第1项所述之光学式奈米热压印制程，其中该高分子材料层之熔点低于该模仁及该加热光源吸收层之熔点。如申请专利范围第1项所述之光学式奈米热压印制程，其中该高分子材料层之玻璃转换温度低于该模仁及该加热光源吸收层之熔点。如申请专利范围第1项所述之光学式奈米热压印制程，其中该高分子材料层之材料为包含所有高分子聚合物系列材质、有机材料、塑胶材料、光阻材、或上述材料中两者或两者以上所合成之材料。如申请专利范围第1项所述之光学式奈米热压印制程，其中该高分子材料层之材料为环氧基紫外负光阻(SU－8)或聚甲基丙烯酸甲酯光阻(PMMA)。如申请专利范围第1项所述之光学式奈米热压印制程，其中该基板与该模仁均具有复数个对准标记。如申请专利范围第1项所述之光学式奈米热压印制程，该将该模仁放置在该基板上时，更至少包括从该模仁之该第二表面朝该第一表面施加一预压力。如申请专利范围第1项所述之光学式奈米热压印制程，其中该加热光源为一雷射或一灯泡。如申请专利范围第17项所述之光学式奈米热压印制程，其中该加热光源之光源波长介于1nm至107μm之间。如申请专利范围第1项所述之光学式奈米热压印制程，其中该加热光源为波长1064nm之雷射。如申请专利范围第1项所述之光学式奈米热压印制程，其中施加该压力之步骤系利用机械式、电磁式、液压式或气压式。一种光学式奈米热压印制程，至少包括：提供一模仁，其中该模仁具有相对之一第一表面以及一第二表面，且该模仁之该第一表面设有一压印图案；形成一加热光源吸收层于该模仁之该第一表面上；涂布一脱模剂于该模仁之该第一表面上；提供一基板，其中该基板具有相对之一第一表面以及一第二表面；形成一高分子材料层于该基板之该第一表面上；将该模仁放置在该基板上，并使该模仁之该第一表面与该基板之该第一表面彼此相对；从该基板之该第二表面对该基板施加一压力；提供一加热光源，使该加热光源从该模仁之该第二表面朝该第一表面入射光，以加热该模仁与该加热光源吸收层，并将该模仁之该压印图案转印至该高分子材料层中；以及移除该模仁。如申请专利范围第21项所述之光学式奈米热压印制程，其中该模仁之材质为矽晶圆、包含所有高分子聚合物系列材质、有机材料、塑胶材料、半导体材料、金属材料、石英、玻璃材料、陶瓷材料、无机材料、具导电材质、或上述材料中两者或两者以上所合成之材料。如申请专利范围第21项所述之光学式奈米热压印制程，其中该压印图案为微米尺寸或奈米尺寸。如申请专利范围第21项所述之光学式奈米热压印制程，其中该脱模剂为铁氟龙。如申请专利范围第21项所述之光学式奈米热压印制程，其中形成该加热光源吸收层之步骤系利用涂布法、印刷法、物理沉积法、化学沉积法或离子布植法法。如申请专利范围第21项所述之光学式奈米热压印制程，其中该加热光源吸收层系一金属层。如申请专利范围第21项所述之光学式奈米热压印制程，其中该加热光源吸收层系一半导体材料、陶瓷材料、有机材料、塑胶材料、高分子材料、具导电材质、无机材料、或上述材料中两者或两者以上所合成之材料。如申请专利范围第21项所述之光学式奈米热压印制程，其中该加热光源吸收层系由一离子植入材料所组成。如申请专利范围第21项所述之光学式奈米热压印制程，其中该基板之材质为半导体材料、金属材料、石英、玻璃材料、陶瓷材料、有机材料、塑胶材料、高分子材料、具导电材质、无机材料、或上述材料中两者或两者以上所合成之材料。如申请专利范围第21项所述之光学式奈米热压印制程，其中该基板之材质为矽。如申请专利范围第21项所述之光学式奈米热压印制程，其中形成该高分子材料层之步骤系利用涂布法、印刷法、物理沉积法或化学沉积法。如申请专利范围第21项所述之光学式奈米热压印制程，其中该高分子材料层之熔点低于该模仁及该加热光源吸收层之熔点。如申请专利范围第21项所述之光学式奈米热压印制程，其中该高分子材料层之玻璃转换温度低于该模仁及该加热光源吸收层之熔点。如申请专利范围第21项所述之光学式奈米热压印制程，其中该高分子材料层之材料为包含所有高分子聚合物系列材质、有机材料、塑胶材料、光阻材、或上述材料中两者或两者以上所合成之材料。如申请专利范围第21项所述之光学式奈米热压印制程，其中该高分子材料层之材料为环氧基紫外负光阻或聚甲基丙烯酸甲酯光阻。如申请专利范围第21项所述之光学式奈米热压印制程，其中该基板与该模仁均具有复数个对准标记。如申请专利范围第21项所述之光学式奈米热压印制程，该将该模仁放置在该基板上时，更至少包括从该模仁之该第二表面朝该第一表面施加一预压力。如申请专利范围第21项所述之光学式奈米热压印制程，其中该加热光源为一雷射或一灯泡。如申请专利范围第21项所述之光学式奈米热压印制程，其中该加热光源之光源波长介于1nm至107μm之间。如申请专利范围第21项所述之光学式奈米热压印制程，其中该加热光源为波长1064nm之雷射。如申请专利范围第21项所述之光学式奈米热压印制程，其中施加该压力之步骤系利用机械式、电磁式、液压式或气压式。 |
