发明名称 |
制造包括注入离子步骤以稳定粘接键合界面的结构的方法 |
摘要 |
本发明涉及一种制造结构的方法,所述结构特别应用于电子学、光学、或光电子学的领域,该结构包括支撑衬底(3)上的半导体材料的薄层(1),其中:a)所述薄层(1)通过分子附着力粘接键合到所述支撑衬底(3)上;b)通过该方式得到的所述结构被热处理,以稳定粘接键合界面(2),其特征在于在步骤b)之前,在所述界面(2)上进行离子注入,从而薄层(1)上的原子被转移到支撑衬底(3)上,和/或支撑衬底(3)上的原子被转移到薄层(1)上。 |
申请公布号 |
CN102084478A |
申请公布日期 |
2011.06.01 |
申请号 |
CN200980126223.X |
申请日期 |
2009.07.03 |
申请人 |
S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司 |
发明人 |
K·布德尔;D·朗德吕;K·朗德里 |
分类号 |
H01L21/762(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/762(2006.01)I |
代理机构 |
北京戈程知识产权代理有限公司 11314 |
代理人 |
程伟;王锦阳 |
主权项 |
一种制造结构的方法,所述结构特别应用于电子学、光学、或光电子学的领域,所述结构包括支撑衬底(3)上的半导体材料的薄层(1),其中:a)所述薄层(1)通过分子附着力粘接键合到所述支撑衬底(3)上;b)通过该方式得到的所述结构被热处理,以稳定粘接键合界面(2),其特征在于,在步骤b)之前,通过在所述界面(2)上注入离子,原子从所述薄层(1)被转移到所述支撑衬底(3)上,和/或原子从所述支撑衬底(3)被转移到所述薄层(1)上。 |
地址 |
法国贝尔尼 |