Verbesserung der Gateflächeneigenschaften zwischen einer Kanalhalbleiterlegierung und einem Gatedielektrikum mittels eines Oxidationsprozesses

摘要

In komplexen Transistorelementen werden langfristige Schwellwertspannungsverschiebungen in Transistoren, die eine schwellwerteinstellende Halbleiterlegierung enthalten, verringert, indem die Rauhigkeit einer Grenzfläche reduziert wird, die zwischen dem schwellwerteinstellenden Halbleitermaterial und dem Gatedielektrikumsmaterial gebildet ist. Dazu wird ein Teil des schwellwerteinstellenden Halbleitermaterials oxidiert und vor dem Bilden des dielektrischen Materials mit großem ε entfernt.