| 发明名称 | 用于制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及用于制造半导体器件的方法。所述方法包括：在形成有电极焊盘的衬底上形成保护绝缘膜，所述保护绝缘膜具有曝光所述电极焊盘的开口；形成感光性树脂膜；通过使用多等级掩模曝光所述感光性树脂膜并且将所述感光性树脂膜显影，一次性地形成由所述感光性树脂膜构成的树脂保护膜和由具有的厚度比所述树脂保护膜的厚度大的所述感光性树脂膜构成的树脂核心；以及从所述树脂核心的上侧到所述电极焊盘的上侧形成互连。 | ||
| 申请公布号 | CN102082104A | 申请公布日期 | 2011.06.01 |
| 申请号 | CN201010537188.5 | 申请日期 | 2010.11.05 |
| 申请人 | 瑞萨电子株式会社 | 发明人 | 别宫史浩 |
| 分类号 | H01L21/60(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I;H01L23/00(2006.01)I;H01L23/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/60(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 孙志湧;穆德骏 |
| 主权项 | 一种制造半导体器件的方法，包括：在形成有电极焊盘的衬底上，形成保护绝缘膜，所述保护绝缘膜具有用以曝光所述电极焊盘的开口；形成感光性树脂膜；通过使用多等级掩模来曝光所述感光性树脂膜并且将所述感光性树脂膜显影，一次性地形成由所述感光性树脂膜构成的树脂保护膜和由具有的厚度比所述树脂保护膜的厚度大的所述感光性树脂膜构成的树脂核心；以及从所述树脂核心的上侧到所述电极焊盘的上侧形成互连。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||