Flash存储器的数据存储结构及其数据操作方式

摘要

本发明涉及Flash存储器领域。本发明的Flash存储器的数据存储结构，每个页面的存储单位内包括存储数据的数据存储空间和一备用空间。所述的备用空间的被定义为以下几部分：文件名称记录区、页面名称记录区、页面存储状态记录区、页面状态记录区、块擦除次数记录区、数据校验码记录区。对如上所述的Flash存储器的数据存储结构进行数据操作方式，具体是：包括系统初始化步骤和数据操作步骤，该数据操作步骤包括：存储空间的分配和释放操作、抗掉电保护操作、均衡磨损操作、坏块处理、数据校验操作。本发明优化Flash存储器的数据存储结构及其数据操作的控制方式，在读写操作中对Flash存储进行均衡处理，及进行抗掉电处理和ECC处理机制设计，避免了已有Flash存在的缺陷。

主权项

Flash存储器的数据存储结构，其每个页面的存储单位内包括存储数据的数据存储空间和一备用空间，其特征在于：所述的备用空间的被定义为以下几部分：文件名称记录区，用于存放文件名称数据；页面名称记录区，用于存放页面名称数据；页面存储状态记录区，用于存放页面存储状态位数据和块存储状态位数据；页面状态记录区，用于存放页面系列号数据和页面数据长度数据；块擦除次数记录区，用于存放块的擦除次数数据；数据校验码记录区，用于存放数据校验码数据。