图像传感器及其制造方法

摘要

本发明的实施例公开一种图像传感器及其制造方法。根据实施例，图像传感器可以包括第一衬底、光电二极管以及离子注入隔离层。根据实施例，包括金属互连件的电路可设置在第一衬底上方。可在接合到第一衬底的结晶半导体层中设置光电二极管，包括位于结晶半导体层中的第二导电类型导电层以及位于第二导电类型导电层上方的第一导电类型导电层，并且电连接到金属互连件。在光电二极管中可设置离子注入隔离层，包括位于第一导电类型导电层下方的第二导电类型第一离子注入隔离层和位于光电二极管的像素之间的界面处的第二导电类型第二离子注入隔离层。本发明可阻止因晶体缺陷而引起的暗电流，提高衬底之间的接合性和对准裕度，并且增强分辨率和灵敏度。

主权项

一种图像传感器，包括：衬底；电路，位于所述衬底上方，所述电路包括金属互连件；光电二极管，位于与所述衬底接合的结晶半导体层中，所述光电二极管与所述金属互连件电连接；以及离子注入隔离层，位于所述光电二极管中，其中所述光电二极管包括：第二导电类型导电层，位于所述结晶半导体层中；以及第一导电类型导电层，位于所述第二导电类型导电层上方，其中所述离子注入隔离层包括位于所述第一导电类型导电层下方的第二导电类型第一离子注入隔离层，其中所述离子注入隔离层包括位于所述光电二极管的像素之间的界面处的第二导电类型第二离子注入隔离层。