| 发明名称 | 可记录电存储器的制作 | ||
| 摘要 | 通过在基片上形成第一电极、在相对基片的第一位置上放置光掩模、以及基于光掩模上的图案在第一电极上形成第一材料层，制作一种存储元件的存储单元。在相对基片的第二位置上放置光掩模，并基于光掩模上的图案在第一材料层上方形成第二材料层，第二材料层与第一材料层有偏移，从而存储单元的第一子单元包括第一材料层，但不包括第二材料层，并且存储单元的第二子单元包括第一和第二材料层。第二电极是在第一和第二材料层上方形成。 | ||
| 申请公布号 | CN101506942B | 申请公布日期 | 2011.05.18 |
| 申请号 | CN200780004481.1 | 申请日期 | 2007.10.22 |
| 申请人 | 香港应用科技研究院有限公司 | 发明人 | 徐文泰 |
| 分类号 | H01L21/033(2006.01)I;H01L27/10(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/033(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人 | 江耀纯 |
| 主权项 | 一种可记录电存储器的制作方法，包括：制作一种存储设备的存储单元，包括在基片上形成第一电极；在相对基片的第一位置上放置光掩模；根据光掩模上的图案，在第一电极上形成第一材料层；在相对基板的第二位置上放置光掩模；根据光掩模上的图案，在第一材料层上方形成第二材料层，第二材料层与第一材料层有个偏移量，从而存储单元的第一子单元包括第一材料层，但不包括第二材料层，而存储单元的第二子单元包括第一和第二材料层；和在第一和第二材料层上方形成第二电极，并重叠第一电极。 | ||
| 地址 | 中国香港新界沙田香港科学园科技大道西二号生物资讯中心三楼 | ||