发明名称 真空阀用电接点以及利用该接点的真空断路器
摘要 本发明的目的是提供一种熔敷分离力小,具有优异的通电性能,断路性能的电接点。一种电接点,包括铬、铜以及碲,具有在铜基质中分散有由铬和铜和碲构成的金属间化合物及铬的组织,其特征在于,该金属间化合物存在于铜基质的晶粒内及晶粒边界、以及铬与铜的界面上。
申请公布号 CN102064026A 申请公布日期 2011.05.18
申请号 CN201010540124.0 申请日期 2010.11.11
申请人 株式会社日立制作所 发明人 菊池茂;马场升;森田步;薮雅人;中村清美
分类号 H01H1/02(2006.01)I;H01H11/04(2006.01)I;H01H33/664(2006.01)I 主分类号 H01H1/02(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人 史雁鸣
主权项 一种电接点,包括铬、铜以及碲,具有在铜基质中分散有由铬、铜和碲构成的金属间化合物及铬的组织,其中,该金属间化合物存在于铜基质的晶粒内及晶粒边界、以及铬与铜的界面上。
地址 日本东京
您可能感兴趣的专利