| 发明名称 | 控制基材厚度的方法和处理基材的装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种控制基材厚度的方法和处理基材的装置。该方法包括：自至少一个散布器散布至少一个蚀刻剂至一旋转基材的一表面上的多个不同的位置以实施蚀刻；监控于所述多个位置上该旋转基材的一厚度，使得当散布该蚀刻剂于各别的位置时，该旋转基材的厚度被监控，以及基于位于所述各别的位置上的该相对监控厚度，控制实施蚀刻的一相对量。 | ||
| 申请公布号 | CN101527272B | 申请公布日期 | 2011.05.18 |
| 申请号 | CN200910003748.6 | 申请日期 | 2009.02.01 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 杨固峰;邱文智;吴文进;左克伟 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 冯志云;郑特强 |
| 主权项 | 一种控制基材厚度的方法，包括：自至少一个散布器散布至少一个蚀刻剂至一旋转基材的一表面上的多个不同的位置以实施蚀刻；监控于所述多个位置上的该旋转基材的一厚度，使得当散布该蚀刻剂于各别的位置时，该旋转基材的厚度被监控；以及基于位于所述各别的位置上的该相对监控厚度，控制实施蚀刻的一相对量，其中该散布步骤包括以一第一段时间长度散布该蚀刻剂于一第一位置的该表面上，其所在的基材具有一第一厚度，以及以一第二段时间长度散布该蚀刻剂于一第二位置的该表面上，其所在的基材具有一第二厚度，其中该第一段时间长度大于该第二段时间长度，并且该第一厚度大于该第二厚度。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||