| 发明名称 | 具有掩埋栅和掩埋位线的半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件，包括：在多个有源区的内部形成的多个第一沟槽；多个掩埋栅，被配置为部分地填充所述多个第一沟槽；多个第二沟槽，被形成为沿着与所述多个掩埋栅相交叉的方向延伸；以及多个掩埋位线，被配置为填充所述多个第二沟槽。 | ||
| 申请公布号 | CN102054819A | 申请公布日期 | 2011.05.11 |
| 申请号 | CN201010256119.7 | 申请日期 | 2010.08.18 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 金寿永 |
| 分类号 | H01L23/528(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/528(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 郭放;黄启行 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：多个第一沟槽，所述多个第一沟槽被形成在多个有源区的内部；多个掩埋栅，所述多个掩埋栅被配置为部分地填充所述多个第一沟槽的内部；多个第二沟槽，所述多个第二沟槽被形成为沿着与所述多个掩埋栅相交叉的方向延伸；以及多个掩埋位线，所述多个掩埋位线被配置为填充所述多个第二沟槽。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||