发明名称 Halbleiterbauelement mit einer Schottky-Barrieren-Diodenstruktur
摘要
申请公布号 DE60144263(D1) 申请公布日期 2011.05.05
申请号 DE20016044263 申请日期 2001.03.30
申请人 SHINDENGEN ELECTRIC MFG. CO. LTD. 发明人 MIZUE, KITADA;SHINJI, KUNORI
分类号 H01L29/872;H01L21/329;H01L29/06;H01L29/47 主分类号 H01L29/872
代理机构 代理人
主权项
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