| 发明名称 | 层迭封装堆栈式集成电路封装系统及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种层迭封装堆栈式集成电路封装系统及其制造方法。该集成电路封装系统的制造方法包含以下步骤：形成顶部封装，包含：提供具有硅通孔的硅通孔插入件，将堆栈集成电路裸片耦合至该硅通孔并测试顶部封装；形成基部封装，包含：提供衬底，将基部集成电路裸片耦合至该衬底并测试基部封装；以及，在该顶部封装与该基部封装之间耦合堆栈互连。 | ||
| 申请公布号 | CN102044452A | 申请公布日期 | 2011.05.04 |
| 申请号 | CN201010516101.6 | 申请日期 | 2010.10.18 |
| 申请人 | 史特斯晶片封装公司 | 发明人 | 朴炯相;梁悳景;崔大植 |
| 分类号 | H01L21/50(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I;H01L23/52(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/50(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人 | 程伟;龚颐雯 |
| 主权项 | 一种集成电路封装系统的制造方法，包括以下步骤：形成顶部封装，包含：提供具有硅通孔的硅通孔插入件，将堆栈集成电路裸片耦合至该硅通孔，以及测试该顶部封装；形成基部封装，包含：提供衬底，将基部集成电路裸片耦合至该衬底，以及测试该基部封装；以及在该顶部封装与该基部封装之间耦合堆栈互连。 | ||
| 地址 | 新加坡新加坡城 | ||