| 摘要 |
Die Erfindung betrifft eine Bondverbindung zwischen einem Bonddraht (9) und einem Leistungshalbleiterchip (1). Der Leistungshalbleiterchip (10) weist einen Halbleiterkörper (1) auf, in dem ein aktiver Zellbereich (12) mit einer Vielzahl von Zellen (15) angeordnet ist, die in einer lateralen Richtung (r) aufeinanderfolgend angeordnet und elektrisch parallel geschaltet sind. Der Halbleiterkörper (1) weist einen Oberflächenabschnitt (11') auf, der in einer zur lateralen Richtung (r) senkrechten vertikalen Richtung (v) oberhalb des aktiven Zellbereichs (12) angeordnet ist. Auf den Oberflächenabschnitt (15) ist eine Metallisierungsschicht (20) aufgebracht, auf die ein Bonddraht (9) gebondet ist. Der Bonddraht (9) besteht aus einer Legierung, die wenigstens 99 Gew.-% Aluminium (91) enthält, sowie wenigstens einen weiteren Legierungsbestandteil (92). Das Aluminium (91) weist eine Kornstruktur mit einer mittleren Korngröße (<D91>) auf, die kleiner ist als 2 µm. |
