发明名称 | 选择性射极结构的电极图形的对齐方法 | ||
摘要 | 本发明涉及一种选择性射极结构的电极图形的对齐方法,包括下列步骤:首先提供一基材,接着于基材的一表面上形成一障壁图案,其中障壁图案部分覆盖基材的表面,且障壁图案覆盖的基材的表面定义出一第一区域,而障壁图案未覆盖的基材的表面定义出一第二区域。随后,改变第二区域的基材的表面特性,借此使第一区域与第二区域的基材具有不同的表面性质,以形成一图形化可视标记。 | ||
申请公布号 | CN102034891A | 申请公布日期 | 2011.04.27 |
申请号 | CN200910174161.1 | 申请日期 | 2009.09.29 |
申请人 | 益通光能科技股份有限公司 | 发明人 | 苏绍鹏 |
分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 | 北京市浩天知识产权代理事务所 11276 | 代理人 | 许志勇;刘云贵 |
主权项 | 一种选择性射极结构的电极图形的对齐方法,其特征在于包括:提供一基材;于所述基材的一表面上形成一障壁图案,其中所述障壁图案部分覆盖所述基材的所述表面,且所述障壁图案覆盖的所述基材的所述表面定义出一第一区域,而所述障壁图案未覆盖的所述基材的所述表面定义出一第二区域;改变所述第二区域的所述基材的表面特性,借此使所述第一区域与所述第二区域的所述基材具有不同的表面性质,而形成一图形化可视标记;由所述基材的所述表面移除所述障壁图案;以及以所述图形化可视标记作为一对准标记。 | ||
地址 | 中国台湾台南市 |