包含电容器的集成电路装置及制造方法

摘要

本发明提供一集成电路装置(120)的详细说明以及其它细节，所述的集成电路装置包含一晶体管(122)，最好为一所谓的FinFET，以及一电容器(124)。所述的电容器(124)的底部电极于一SOI基板上与所述的晶体管(122)的一沟道区域设置在一起。所述的电路装置(120)可以简单的制造而且具有显著的电子特性。

主权项

一种集成电路装置，其具有一绝缘区域，以及具有至少一序列的区域，该至少一序列的区域形成一电容器并且依序包含：配置于该绝缘区域上的一第一电极区域；一介电层区域；以及远离该绝缘区域的一第二电极区域；其中该绝缘区域为设置在一平面上的一绝缘层的一部份，而该电容器以及在该集成电路上的至少一有源组件设置在该绝缘层的同一侧，而该第一电极区域以及该有源组件的一有源区域设置在与用来设置该绝缘层的平面相互平行的一平面上，该第一电极区域为含有多个鳍状结构的一单晶体的区域。