发明名称 | 利用具有增强的电子跃迁的材料的光电子器件 | ||
摘要 | 一种光电子器件,包括具有增强的电子跃迁的材料。该电子跃迁通过在界面处的混合的电子态被增强。该界面可以由纳米阱、纳米点或纳米线形成。 | ||
申请公布号 | CN101405864B | 申请公布日期 | 2011.04.27 |
申请号 | CN200780006811.0 | 申请日期 | 2007.02.27 |
申请人 | 洛斯阿拉莫斯国家安全有限责任公司 | 发明人 | M·R·布莱克 |
分类号 | H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 李娜;王小衡 |
主权项 | 一种光电子器件,该器件包括:a.透明导体;b.固态导体;和c.置于该透明导体和该固态导体之间的材料,使得该材料的至少一部分和该透明导体以及该固态导体电接触,其中该材料具有费米能级、多个载流子袋以及界面,其中在该界面处实现电子态的显著混合,结果得到混合的电子态,其中所述混合的电子态包括小于该费米能级的kT或在该费米能级的kT以内的初始状态,和大于该费米能级的kT或在该费米能级的kT以内的第二状态,其中k是波尔兹曼常数,T是开氏温度。 | ||
地址 | 美国新墨西哥州 |