制造半导体器件的方法和掩模

摘要

本发明提供一种制造半导体器件的方法和掩模。在保护绝缘膜上形成感光性树脂膜。接着，通过对所述感光性树脂膜进行曝光和显影，沿着第一直线、在所述保护绝缘膜上形成多个凸块核心。接着，通过在多个凸块核心、多个电极焊盘和保护绝缘膜上选择性地形成导电膜，来形成多个凸块和多个互连，所述多个互连将所述多个凸块中的每个连接到所述电极焊盘中的任一个。在形成多个凸块核心的步骤中，通过使用多等级掩模只一次性将感光性树脂曝光，在凸块核心的侧面上的与互连接壤的区域被形成为具有比与所述第一直线相交的区域的坡度更缓的坡度。

主权项

一种制造半导体器件的方法，包括：在基板中形成多个电极焊盘；在所述多个电极焊盘中和所述多个电极焊盘的外周，形成保护绝缘膜，所述保护绝缘膜具有位于每个所述电极焊盘上方的多个开口；在所述保护绝缘膜上方形成感光性树脂膜；通过对所述感光性树脂膜进行曝光和显影，沿着第一直线、在所述保护绝缘膜上方形成多个凸块核心；以及通过在所述多个凸块核心、所述多个电极焊盘和所述保护绝缘膜上方选择性地形成导电膜，来形成多个凸块以及多个互连，所述多个互连将所述多个凸块中的每个连接到所述电极焊盘中的任一个，其中，在形成所述多个凸块核心的所述步骤中，通过使用多等级掩模只一次性将所述感光性树脂曝光，使得在所述凸块核心的侧面上的与所述互连接壤的区域被形成为具有比与所述第一直线相交的区域更缓的坡度。