| 发明名称 | 光刻方法 | ||
| 摘要 | 在校准沉浸光刻设备的重叠性能时，使用正常且相反的曲折路径进行曝光得到两组重叠数据。然后使用这两组重叠数据消除由于晶片冷却造成的影响。 | ||
| 申请公布号 | CN1936709B | 申请公布日期 | 2011.04.20 |
| 申请号 | CN200610137526.X | 申请日期 | 2006.09.05 |
| 申请人 | ASML荷兰有限公司 | 发明人 | K·J·J·M·扎尔;A·J·德科特;F·E·德琼;K·古尔曼;B·门希基科夫;H·F·彭 |
| 分类号 | G03F7/20(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 王波波 |
| 主权项 | 一种光刻方法，包括：利用包括第一投影系统(PL)的第一光刻投影设备在第一衬底(W)上印刷第一组测试结构(S1)，该第一衬底沿相对于第一投影系统的第一路线移动以执行第一组测试结构的印刷；利用包括第二投影系统(PL)的第二光刻投影设备在第二衬底(W)上印刷第二组测试结构(S3)，该第二衬底沿相对于第二投影系统的第二路线移动以执行第二组测试结构的印刷，第二路线不同于第一路线；测量在第一组测试结构中的第一组重叠误差数据(S2)；测量在第二组测试结构中的第二组重叠误差数据(S4)；从第一和第二组重叠误差数据中计算第三组位置误差数据(S5)；和使用第三组位置误差数据来校准一个或多个光刻投影设备(S6)。 | ||
| 地址 | 荷兰费尔德霍芬 | ||