发明名称 光电转换装置,其制备方法,光传感器,成像装置及它们的驱动方法
摘要 本发明提供一种光电转换装置,其制备方法,光传感器,成像装置及它们的驱动方法,所述光电转换装置以下列顺序包括透明导电膜,光电转换膜和导电膜,其中,所述光电转换膜包括光电转换层和电子阻挡层,其中所述电子阻挡层含有由特定化学式表示的化合物。
申请公布号 CN102024907A 申请公布日期 2011.04.20
申请号 CN201010278960.6 申请日期 2010.09.08
申请人 富士胶片株式会社 发明人 野村公笃;三井哲朗;福崎英治
分类号 H01L51/46(2006.01)I;H01L51/44(2006.01)I;G01J1/42(2006.01)I;H04N5/335(2006.01)I;C07D209/86(2006.01)I;C07D219/02(2006.01)I;C07D279/22(2006.01)I;C07D209/80(2006.01)I;C07D221/18(2006.01)I;C07D223/14(2006.01)I;C07D223/32(2006.01)I;C07D279/36(2006.01)I;C07D265/34(2006.01)I;C07D279/14(2006.01)I;C07D401/14(2006.01)I;C07D413/14(2006.01)I;C07D403/14(2006.01)I;C07D417/14(2006.01)I;C07D405/14(2006.01)I;C07D409/14(2006.01)I;C07F7/10(2006.01)I;C07F7/08(2006.01)I 主分类号 H01L51/46(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 柳春琦
主权项 1.一种光电转换装置,其以下列顺序包括透明导电膜,光电转换膜和导电膜,其中,所述光电转换膜包括光电转换层和电子阻挡层,其中所述电子阻挡层含有由下式(Y1)表示的化合物:式(Y1)<img file="FSA00000270866300011.GIF" wi="1838" he="328" />其中R<sub>1</sub>至R<sub>8</sub>,R’<sub>1</sub>至R’<sub>8</sub>,R”<sub>1</sub>至R”<sub>8</sub>中的每一个独立地表示氢原子,卤素原子,烷基,芳基,杂环基,羟基,氨基或巯基,其还可以具有取代基;条件是R<sub>1</sub>至R<sub>8</sub>,R’<sub>1</sub>至R’<sub>8</sub>,R”<sub>1</sub>至R”<sub>8</sub>中的至少一个表示含有3个以上的环结构的被取代的氨基;Y,Y’和Y”中的每一个独立地表示碳原子,氮原子,氧原子,硫原子或硅原子,其还可以具有取代基;ny1表示0至2的整数;ny2表示0或1的整数。
地址 日本国东京都