具有电容器结构的集成电路器件及其制作方法

摘要

本发明公开了一种具有电容器结构的集成电路器件及其制作方法，所述器件具有衬底，例如硅晶片、绝缘物上的硅、外延晶片。该器件具有覆在衬底上的电介质材料层以及覆在电介质材料层上的多晶硅栅层。该器件具有覆在多晶硅栅层上的硅化钨层，作为下电容器极板。该器件具有覆在硅化钨层上的第一氧化物层，氮化物层覆在第一氧化物层上，第二氧化物层覆在氮化物层上以形成三明治的第一氧化物层-氮化物层-第二氧化物层结构，从而形成电容器电介质。该器件还具有覆在第二氧化物层上的上电容器极板。

主权项

一种具有电容器结构的集成电路器件，包括：衬底；电介质材料层，所述电介质材料层覆在所述衬底上；多晶硅栅层，所述多晶硅栅层覆在所述电介质材料层上；硅化钨层，所述硅化钨层覆在所述多晶硅栅层上，所述多晶硅栅层和所述硅化钨层构成下电容器极板；第一氧化物层，所述第一氧化物层覆在所述硅化钨层上；氮化物层，所述氮化物层覆在所述第一氧化物层上；第二氧化物层，所述第二氧化物层覆在所述氮化物层上，所述第一氧化物层‑氮化物层‑第二氧化物层结构构成电容器电介质；上电容器极板，所述上电容器极板形成在所述第二氧化物层上。