发明名称 |
沉积有机材料的方法 |
摘要 |
一种通过原子层沉积在基板上制备有机薄膜的方法,所述方法包括同时引导一系列气流沿着基本上平行的伸长的通道通过,其中该系列气流包括依次的至少第一反应性气态材料、惰性吹扫气体和第二反应性气态材料,任选重复多次,其中所述第一反应性气态材料能够与用第二反应性气态材料处理过的基质反应,其中所述第一反应性气态材料、第二反应性气态材料或者二者为挥发性有机化合物。在有机薄膜的沉积过程中,所述方法基本上在大气压下或高于大气压下进行,其中沉积过程的基质温度低于250℃。 |
申请公布号 |
CN102027603A |
申请公布日期 |
2011.04.20 |
申请号 |
CN200880108812.0 |
申请日期 |
2008.09.17 |
申请人 |
伊斯曼柯达公司 |
发明人 |
D·C·弗里曼;D·H·莱维;P·J·考德里-科尔文 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I;H01L51/50(2006.01)I;B05D7/24(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I;C23C16/30(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
赵苏林;李连涛 |
主权项 |
一种通过原子层沉积在基板上制备有机薄膜的方法,包括同时引导一系列气流沿着基本上平行的伸长的通道方向,其中该系列气流依次包括至少第一反应性气态材料、惰性吹扫气体和第二反应性气态材料,任选重复多次,其中所述第一反应性气态材料能够与用第二反应性气态材料处理过的基板表面反应,并且第二反应性气态材料能够与被第一反应性气态材料处理过的表面反应,以形成薄膜,其中所述第一反应性气态材料、第二反应性气态材料或者二者为挥发性有机化合物,其中所述方法基本上在大气压下或高于大气压下进行,其中沉积过程中的基板温度低于250℃,并且其中沉积的有机薄膜包括至少20个原子重量百分数的碳。 |
地址 |
美国纽约州 |