| 发明名称 | 一种单层电容器及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种单层电容器及其制备方法，包括瓷浆制备、制备陶瓷生片、烧结、清洗、在陶瓷介质主体的上下表面分别附着电极层、切割，其中烧结时，陶瓷生片放置于下氧化锆板，上氧化锆板通过垫片支撑覆盖于下氧化锆板上方；电极层通过真空溅射形成；切割采用激光切割。由该制备方法制得的单层电容器，能够符合设计要求，成品合格率大大提高，其长宽尺寸为0.25-2.54mm，厚度仅为0.1-0.5mm，尺寸超小，并具有超低的串联等效电阻和串联等效电感，在射频微波下高Q值，应用频率可达数GHz到数十GHz，故本发明产品可应用于混合微波集成电路和单片微波集成电路等。 | ||
| 申请公布号 | CN102013320A | 申请公布日期 | 2011.04.13 |
| 申请号 | CN201010515312.8 | 申请日期 | 2010.10.22 |
| 申请人 | 广东风华高新科技股份有限公司 | 发明人 | 马学静;陆亨;唐浩;宋子峰;祝忠勇 |
| 分类号 | H01G4/00(2006.01)I;H01G4/005(2006.01)I;H01G4/12(2006.01)I | 主分类号 | H01G4/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 | 代理人 | 华辉;周端仪 |
| 主权项 | 一种单层电容器的制备方法，包括瓷浆制备、制备陶瓷生片、烧结、清洗、在陶瓷介质主体的上下表面分别附着电极层、切割，其特征在于：所述的烧结时，陶瓷生片放置于下氧化锆板，上氧化锆板通过垫片支撑覆盖于下氧化锆板上方；所述的电极层通过真空溅射形成；所述的切割采用激光切割。 | ||
| 地址 | 526020 广东省肇庆市风华路18号风华电子工业城 | ||