| 发明名称 | 具有肖特基势垒控制层的MOS器件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及具有肖特基势垒控制层的MOS器件。提供一种形成在半导体衬底上的半导体器件，其包括：漏极；覆盖漏极的外延层；以及有源区。有源区包括：本体，所述本体置于外延层中，并具有本体顶表面；源极，所述源极嵌入在所述本体中，并从所述本体顶表面延伸至所述本体中；栅极沟槽，所述栅极沟槽延伸至所述外延层中；栅极，所述栅极置于所述栅极沟槽中；有源区接触沟槽，所述有源区接触沟槽通过所述源极和所述本体延伸至所述漏极中；以及有源区接触电极，所述有源区接触电极置于所述有源区接触沟槽内，其中所述有源区接触电极和所述漏极形成肖特基二极管；以及肖特基势垒控制层，所述肖特基势垒控制层置于与所述有源区接触沟槽邻近的所述外延层中。 | ||
| 申请公布号 | CN101465375B | 申请公布日期 | 2011.04.13 |
| 申请号 | CN200810182320.8 | 申请日期 | 2008.11.21 |
| 申请人 | 万国半导体股份有限公司 | 发明人 | A·巴哈拉;王晓彬;潘继;S-P·魏 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 王茂华 |
| 主权项 | 一种形成在半导体衬底上的半导体器件，包括：漏极；覆盖所述漏极的外延层；以及有源区，包括：本体，所述本体置于所述外延层中，并具有本体顶表面；源极，所述源极嵌入在所述本体中，并从所述本体顶表面延伸至所述本体中；栅极沟槽，所述栅极沟槽延伸至所述外延层中；栅极，所述栅极置于所述栅极沟槽中；有源区接触沟槽，所述有源区接触沟槽通过所述源极和所述本体延伸至所述外延层中；以及有源区接触电极，所述有源区接触电极置于所述有源区接触沟槽内，其中所述有源区接触电极和所述外延层形成肖特基二极管；以及肖特基势垒控制层，所述肖特基势垒控制层置于与所述有源区接触沟槽邻近的所述外延层中。 | ||
| 地址 | 百慕大汉密尔顿 | ||