| 发明名称 | 晶片的双面研磨方法 | ||
| 摘要 | 一种晶片的双面研磨方法，是以贴付研磨布的上方磨盘与下方磨盘包夹保持于载具的晶片，一边从设在该上方磨盘的多个研磨剂供给孔将研磨剂供给至该上方磨盘与该下方磨盘之间，一边同时研磨该晶片的双面的形式的晶片的双面研磨方法。在双面研磨该晶片时，相对于该上方磨盘的旋转中心，通过使从设在外侧的研磨剂供给孔供给的研磨剂量，大于从设在内侧的研磨剂供给孔供给的研磨剂量，来调整该晶片外周部的研磨量，抑制该晶片的外周塌边。由此，可以提供一种双面研磨方法，当进行晶片的双面研磨加工时，能抑制晶片的外周塌边的发生。 | ||
| 申请公布号 | CN101223006B | 申请公布日期 | 2011.04.13 |
| 申请号 | CN200680026129.3 | 申请日期 | 2006.06.28 |
| 申请人 | 信越半导体股份有限公司 | 发明人 | 上野淳一;小林修一 |
| 分类号 | B24B37/00(2006.01)I;B24B37/04(2006.01)I;B24B57/00(2006.01)I;H01L21/304(2006.01)I | 主分类号 | B24B37/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 潘培坤;郑特强 |
| 主权项 | 一种晶片的双面研磨方法，是以贴付研磨布的上方磨盘与下方磨盘包夹保持于载具的晶片，一边从设在该上方磨盘的多个研磨剂供给孔将研磨剂供给至该上方磨盘与该下方磨盘之间，一边同时研磨该晶片的双面的形式的晶片的双面研磨方法，其特征为：双面研磨该晶片时，相对于该上方磨盘的旋转中心，通过使从设在外侧的研磨剂供给孔供给的研磨剂量，大于等于从设在内侧的研磨剂供给孔供给的研磨剂量的两倍，以调整该晶片外周部的研磨量，抑制该晶片的外周塌边。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||