发明名称 THIN FILM DEPOSITION METHOD
摘要 L'invention a pour objet un procédé d'obtention d'un substrat revêtu sur au moins une partie de sa surface d' au moins une couche d'oxyde d'un métal M dont l'épaisseur physique est inférieure ou égale à 30 nm, ladite couche d'oxyde n'étant pas comprise dans un empilement de couches comprenant au moins une couche d'argent, ledit procédé comprenant les étapes suivantes : on dépose par pulvérisation cathodique au moins une couche intermédiaire d'un matériau choisi parmi le métal M, un nitrure du métal M, un carbure du métal M ou un oxyde sous-stchiométrique en oxygène du métal M, ladite couche intermédiaire n'étant pas déposée au-dessus ou en-dessous d'une couche à base d'oxyde de titane, l'épaisseur physique de ladite couche intermédiaire étant inférieure ou égale à 30 nm, on oxyde au moins une partie de la surface de ladite couche intermédiaire à l'aide d'un traitement thermique, pendant lequel ladite couche intermédiaire est en contact direct avec une atmosphère oxydante, notamment avec de l'air, la température dudit substrat pendant ledit traitement thermique ne dépassant pas 1500C.
申请公布号 CA2774937(A1) 申请公布日期 2011.04.07
申请号 CA20102774937 申请日期 2010.09.30
申请人 SAINT-GOBAIN GLASS FRANCE 发明人 KHARCHENKO, ANDRIY;DURANDEAU, ANNE;NADAUD, NICOLAS
分类号 C03C17/00;C03C17/245;C23C14/58 主分类号 C03C17/00
代理机构 代理人
主权项
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