非易失性存储器件及其驱动方法和具有其的存储器系统

摘要

一种非易失性存储器件(NVM)、存储器系统和装置包括被配置成执行一种在NVM的被选字线上施加负电压的方法的控制逻辑。在第一时间期间，第一高电压电平被施加到地址译码器的晶体管的沟道，并且地电压被施加到晶体管的阱。而且，在第二时间期间，第二高电压电平被施加到晶体管的沟道，并且在第二时间间隔内，第一负电压被施加到晶体管的阱。第一高电压电平高于第二高电压电平，并且施加在被选字线上的电压在第二时间间隔内为负。

主权项

一种非易失性存储器件，包括：电源电压生成器，用于生成电源电压；和地址译码器，包括接收所述电源电压的第一晶体管，用于将接收到的字线电压传递到被选存储器块的多条字线，其中所述电源电压根据负字线电压是否被传递到至少一条字线而改变。