一种白光发光二极管及其无机荧光粉

摘要

本发明是关于一种紫外线辐射异质结基体的白光发光二极管，其是在半导体铟镓氮化物的异质结基础上制作而成，该异质结辐射光谱最大值从λ＝395～405nm的近紫外线光，其特征在于：一均匀浓度的发光转换涂层形成于该异质结辐射表面，且该发光转换涂层中填充有至少一单组分氮化物宽频带荧光粉，该荧光粉粉末完全吸收该异质结的第一级辐射并辐射白光光致发光。此外，本发明还揭露一种无机荧光粉，其具有高热稳定性和很好的色度以及高效率的特点。

主权项

一种紫外线辐射异质结基体的白光发光二极管，其是在半导体铟镓氮化物的异质结基础上制作而成，该异质结辐射光谱最大值从λ＝395～405nm的近紫外线光，其特征在于：一均匀浓度的发光转换涂层形成于该异质结辐射表面，且该发光转换涂层中填充有至少一单组分氮化物宽频带荧光粉，该荧光粉完全吸收该异质结的第一级辐射并辐射白光光致发光，其中该荧光粉是以IV、III和II族元素含氧氮化物为基质，其被氮化物异质结紫外线辐射所激发并成为上述白光发光二极管的组分，具有化学计量公式：∑(MeⅡ1‑yMeⅢy)1(Si6Al3)(N11O2.5)，其构造为β‑硅铝层，这时MeⅡ＝Ca、Mg、Sr、Ba及MeⅢ＝Ga、In、Y，其中该化学计量公式的化学计量指数在以下区间内变化：0.2＜y≤0.25。