分离半导体器件中的结构的方法

摘要

去除半导体器件中的结构的一部分以分离该结构。该结构具有不同高度的两个部分(109、107)。在一个实例中，通过在与较高部分的侧壁邻近的较低部分上方形成间隔物(203)来去除该结构。然后在该间隔物外部的结构上形成第二材料(303)。去除该间隔物，然后去除间隔物下面的部分以分离在那个位置的结构。在一个实施例中，在分离的结构中实现分离的沟道区。在其他实施例中，在分离的结构中实现分离的栅极结构。

主权项

一种形成半导体器件的方法，包括：形成包括第一部分和第二部分的结构，所述第一部分具有第一高度且所述第二部分具有第二高度，所述第一高度大于所述第二高度，其中所述第一部分和所述第二部分邻接；邻近所述第一部分的侧壁和在所述第二部分的第一顶部上方形成间隔物，所述间隔物是第一材料；在形成所述间隔物之后在所述结构的第二部分的第二顶部上方形成第二材料，所述第一材料关于所述第二材料呈蚀刻选择性；暴露所述结构的第二部分的第一顶部，其中所述暴露包括去除所述第一顶部上方的间隔物；去除在所述第一顶部的位置处的所述结构的材料，以在所述第一顶部的该位置处使所述第一部分与第二部分分离。