| 发明名称 | 非易失性存储单元及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种非易失性存储单元及其制造方法。该非易失性存储单元包括存储晶体管和驱动晶体管。存储晶体管包括设置在基板上的半导体层、缓冲层、有机铁电层以及栅极电极。驱动晶体管包括设置在基板上的半导体层、缓冲层、栅极绝缘层以及栅极电极。存储晶体管和驱动晶体管设置在相同的基板上。该非易失性存储单元在可见光区域内是透明的。 | ||
| 申请公布号 | CN101997002A | 申请公布日期 | 2011.03.30 |
| 申请号 | CN201010262020.8 | 申请日期 | 2010.08.25 |
| 申请人 | 韩国电子通信研究院 | 发明人 | 尹圣民;卞春元;梁伸赫;朴相姬;郑焞元;姜承烈;黄治善;俞炳坤 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 邱军 |
| 主权项 | 一种非易失性存储单元，包括：存储晶体管，包括设置在基板上的半导体层、缓冲层、有机铁电层以及栅极电极；以及驱动晶体管，包括设置在所述基板上的半导体层、缓冲层、栅极绝缘层以及栅极电极。 | ||
| 地址 | 韩国大田市 | ||