| 发明名称 | FFS型TFT-LCD阵列基板及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种FFS型TFT-LCD阵列基板及其制造方法，该阵列基板包括透明基板、栅线、数据线、薄膜晶体管、像素电极、公共电极以及钝化层，所述钝化层包括位于像素电极上方的第一区域、位于栅线上方的第二区域以及位于数据线上方的第三区域，所述第一区域具有第一厚度，所述第二区域具有第二厚度，所述第三区域具有第三厚度，其中，第一厚度小于第二厚度，第二厚度小于第三厚度，所述公共电极至少设置于所述钝化层的第一区域、第二区域以及第三区域。本发明FFS型TFT-LCD阵列基板的制造方法，能够提高开口率，同时还能够减少耗电。 | ||
| 申请公布号 | CN101995709A | 申请公布日期 | 2011.03.30 |
| 申请号 | CN200910090566.7 | 申请日期 | 2009.08.27 |
| 申请人 | 北京京东方光电科技有限公司 | 发明人 | 崔贤植 |
| 分类号 | G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I;G02F1/1333(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I | 主分类号 | G02F1/1362(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人 | 丁琛 |
| 主权项 | 一种FFS型TFT‑LCD阵列基板，包括透明基板、栅线、数据线、薄膜晶体管、像素电极、公共电极以及钝化层，其特征在于，所述钝化层包括位于像素电极上方的第一区域、位于栅线上方的第二区域以及位于数据线上方的第三区域，所述第一区域具有第一厚度，所述第二区域具有第二厚度，所述第三区域具有第三厚度，其中，第一厚度小于第二厚度，第二厚度小于或等于第三厚度，所述公共电极至少设置于所述钝化层的第一区域、第二区域以及第三区域。 | ||
| 地址 | 100176 北京市经济技术开发区西环中路8号 | ||