发明名称 |
微机电的结构及制造方法 |
摘要 |
本发明提供一种微机电结构,在基板上具有微结构与蚀刻道。微结构为金属层及导电层相连形成,且以氧化硅包覆在微结构周围,并在氧化硅顶端具有阻挡层。蚀刻道为金属层与氧化层交互堆叠而成,且氧化层两边具有通道。其中,微结构的阻挡层与蚀刻道最上层的金属层非同一平面;借此在利用蚀刻移除蚀刻道的金属层时,不会同时将微结构的金属层移除。本发明还提供一种微机电制造方法,以湿式蚀刻法移除前述蚀刻道中的金属层,再以震荡或蚀刻将蚀刻道中残余的氧化层移除,并利用深反应离子蚀刻及背蚀刻悬浮微结构,以形成蚀刻道壁面平整、无残留的悬浮微机电结构。 |
申请公布号 |
CN101993033A |
申请公布日期 |
2011.03.30 |
申请号 |
CN200910166465.3 |
申请日期 |
2009.08.19 |
申请人 |
微智半导体股份有限公司 |
发明人 |
邱奕翔;叶力垦;刘政谚;陈晓翔 |
分类号 |
B81C1/00(2006.01)I;B81B7/02(2006.01)I |
主分类号 |
B81C1/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 |
代理人 |
陈红 |
主权项 |
一种微机电的制造方法,其特征在于,该方法的步骤包含:a.湿式蚀刻法移除一基板上的一微结构旁的一蚀刻道中多层金属层,其中该些金属层与氧化硅交互堆叠,且氧化硅两边具有一通道;b.超音波震荡去除该蚀刻道中残留的氧化硅;c.利用深反应离子蚀刻法蚀刻该基板;以及d.对该基板进行背蚀刻,以形成一悬浮式微结构。 |
地址 |
中国台湾新竹市光复路2段101号育成中心301室 |