制造半导体装置的方法

摘要

提供一种制造半导体装置的方法。在所述方法中，在薄的衬垫形成在上面形成下部互连件的衬底上之后，供应硅源以通过在所述硅源与所述下部互连件之间进行反应而在所述衬垫之下形成硅化物层，且使所述硅化物层氮化并形成蚀刻挡止层。因此，防止所述下部互连件与所述硅源接触，从而可防止所述下部互连件的表面电阻的变化，且因此可制造高速度装置。

主权项

一种制造半导体装置的方法，包括：制备上面形成下部互连件的半导体衬底；在所述半导体衬底上形成衬垫；在所述下部互连件上在所述衬垫之下形成硅化物层；使所述硅化物层氮化；以及在所述衬垫上沉积薄层。