形成厚度均匀的栅氧化层的方法

摘要

本发明公开了一种形成厚度均匀的栅氧化层的方法，包括：第1步，在硅片上刻蚀出沟槽；第2步，淀积填充氧化硅将所述沟槽完全填充；第3步，以化学机械抛光工艺平坦化所述填充氧化硅直至露出氮化硅；第4步，湿法腐蚀所述沟槽上方的填充氧化硅，刻蚀后的填充氧化硅仍高于硅片的有源区；第5步，湿法腐蚀所述沟槽两侧的氮化硅，直至露出隔离氧化硅；第6步，对硅片进行硅离子的预非晶化离子注入，在被刻蚀的氮化硅下方的有源区内形成非晶层；第7步，湿法腐蚀硅片表面的氮化硅和隔离氧化硅；第8步，在硅片表面生长栅氧化层。本发明通过栅氧化层生长前的预非晶化离子注入，改善了栅氧化层的厚度均匀性。

主权项

一种形成厚度均匀的栅氧化层的方法，硅片已定义MOS晶体管的有源区，其特征是：所述方法包括如下步骤：第1步，在硅片表面生长一层隔离氧化硅，再淀积一层氮化硅，接着光刻形成刻蚀窗口，在刻蚀窗口刻蚀掉氮化硅、隔离氧化硅和部分硅形成沟槽；第2步，在所述沟槽的侧壁和底面生长一层衬垫氧化硅，再在硅片表面淀积一层填充氧化硅，所述填充氧化硅至少将所述沟槽完全填充；第3步，以化学机械抛光工艺平坦化所述填充氧化硅直至露出氮化硅；第4步，湿法腐蚀所述沟槽上方的填充氧化硅，刻蚀后的填充氧化硅仍高于硅片的有源区；第5步，湿法腐蚀所述沟槽两侧的氮化硅，直至露出隔离氧化硅；第6步，对硅片进行硅离子的预非晶化离子注入，在被刻蚀的氮化硅下方的有源区内形成非晶层；第7步，湿法腐蚀硅片表面的氮化硅和隔离氧化硅；第8步，在硅片表面生长栅氧化层。