改善沟槽间深度差异的等离子刻蚀方法与装置

摘要

本发明揭露了一种改善沟槽间深度差异的等离子刻蚀方法与装置，将沟槽刻蚀过程拆分为两步，并采用不同刻蚀参数加以控制，从而改善了芯片中心区域到边缘区域的沟槽之间的深度差异。该方法包括如下步骤：于反应室上极板提供一源功率以及一第一电磁场，以激发刻蚀气体产生等离子体，并引导等离子体轰击基片表面；于反应室上极板提供一第二电磁场，以激发刻蚀气体产生等离子体，并引导等离子体轰击基片表面，其中反应室上极板边缘处设有一外线圈组且外线圈组以内设有一内线圈组，且上述第一电磁场由内线圈组产生，上述第二电磁场由内外线圈组共同产生。

主权项

一种等离子刻蚀方法，于一反应室的下极板上提供一待刻蚀基片，以通过刻蚀于其上形成沟槽，其特征是，该等离子刻蚀方法包括：在刻蚀前期，于反应室上极板提供一源功率以及一第一电磁场，以激发刻蚀气体产生等离子体，并引导等离子体轰击基片表面；在刻蚀后期，于反应室上极板提供一第二电磁场，以激发刻蚀气体产生等离子体，并引导等离子体轰击基片表面，其中反应室上极板边缘处设有一外线圈组且外线圈组以内设有一内线圈组，且上述第一电磁场由内线圈组产生，上述第二电磁场由内外线圈组共同产生。