用以减少暗电流的ONO侧墙刻蚀工艺

摘要

用以减少暗电流的ONO侧墙刻蚀工艺，包括：提供P型掺杂的半导体衬底，所述半导体衬底包括表面区域；形成覆盖表面区域的栅氧化层；形成覆盖栅氧化层的第一部分的第一栅结构，所述第一栅结构具有上表面区域和至少一个侧面区域；在部分半导体衬底内形成N型杂质区域，以至少由N型和P型掺杂区域形成光电二极管器件区域；形成覆盖至少第一栅结构的毯式侧墙层，所述侧墙层包括氧化层-氮化层-氧化层结构；使用毯式侧墙层形成第一栅结构的一个或者多个侧墙结构，同时保留氧化层-氮化层-氧化层的部分氧化层覆盖于至少光电二极管器件区域。

主权项

一种CMOS图像传感器件的形成方法，包括：提供具有P型杂质特性的半导体衬底，所述半导体衬底包括表面区域；形成覆盖表面区域的栅氧化层；形成覆盖栅氧化层的第一部分的第一栅结构，所述第一栅结构具有上表面区域和至少侧面区域；在部分半导体衬底内形成N型杂质区域，以至少由N型杂质区域和P型杂质区域形成光电二极管器件区域；形成覆盖至少第一栅结构的毯式侧墙层，所述侧墙层包括顶部氧化层‑中间氮化层‑底部氧化层结构；利用毯式刻蚀工艺刻蚀毯式侧墙层，所述底部氧化层用作刻蚀停止层，刻蚀停止在底部氧化层，形成用于第一栅结构的一个或者多个侧墙结构，同时保留顶部氧化层‑中间氮化层‑底部氧化层中的部分底部氧化层来覆盖至少光电二极管器件区域，所述底部氧化层的厚度为80埃至200埃，并且完全没有氮化硅。