发明名称 薄膜电容器的制造方法
摘要 本发明提供一种薄膜电容器的制造方法。分别制作含有电介质陶瓷粉末的电介质生片、含有金属粉末的导体生片、含有氧化物无机材料粉末的烧成辅助用生片,在将这些烧成辅助用生片、导体生片、电介质生片、导体生片及烧成辅助用生片依次叠层,形成了叠层体后,对该叠层体实施烧成处理。此外,在该烧成处理中,降低导体生片与烧成辅助用生片的界面的粘接强度,并且将烧成气氛的氧分压至少改变1次以上,将作为电容器部的烧结体的薄膜电容器与作为烧成辅助用生片的烧结体的烧成辅助构件分离。这样,就可以实现能够高效率地制造成本低且不会对特性造成影响的可靠性优良的薄膜电容器。
申请公布号 CN101176171B 申请公布日期 2011.03.16
申请号 CN200680016375.0 申请日期 2006.04.24
申请人 株式会社村田制作所 发明人 南川忠洋;前田昌祯
分类号 H01G4/33(2006.01)I;H01G13/00(2006.01)I;H01G4/12(2006.01)I 主分类号 H01G4/33(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 李香兰
主权项 一种薄膜电容器的制造方法,是在电介质层的两个主面上形成了导体层的薄膜电容器的制造方法,其特征是,包括:分别制作含有电介质陶瓷粉末的电介质生片、含有金属粉末的导体生片、含有氧化物无机材料粉末的烧成辅助用生片的生片制作工序;在上述电介质生片的两个主面分别配置上述导体生片而形成电容器部,并且以将上述电容器部用上述烧成辅助用生片保持的方式配置上述烧成辅助用生片而形成叠层体的叠层体形成工序;将上述叠层体烧成的烧成工序,在上述烧成工序的烧成处理中,降低上述导体生片与上述烧成辅助用生片的界面的粘接强度,并且将烧成气氛的氧分压至少改变1次,将作为上述电容器部的烧结体的薄膜电容器与作为上述烧成辅助用生片的烧结体的烧成辅助构件分离。
地址 日本京都府