| 主权项 |
一种发光二极体，至少包括：一基板；一发光磊晶结构，位于该基板上，其中该发光磊晶结构至少包括依序堆叠在该基板之一第一电性半导体层、一发光层、以及一第二电性半导体层，且该第一电性半导体层与该第二电性半导体层具不同电性，其中该发光磊晶结构具有一凹槽至少穿过该第二电性半导体层以及该发光层而暴露出该第一电性半导体层之一部分；一第一电性电极垫，位于该第一电性半导体层之该暴露部分上，且与该发光层间具有一间隔；以及一反射结构，围绕在该发光层的外围且介于该发光层与该第一电性电极垫之间，以反射该发光层之侧光。如申请专利范围第1项所述之发光二极体，其中该基板之材料为蓝宝石或碳化矽。如申请专利范围第1项所述之发光二极体，其中该第一电性半导体层之材料为n型氮化镓系列材料。如申请专利范围第1项所述之发光二极体，其中该第二电性半导体层之材料为p型氮化镓系列材料。如申请专利范围第1项所述之发光二极体，其中该发光层包括一多重量子井结构。如申请专利范围第1项所述之发光二极体，更至少包括一透明接触层覆盖在该第二电性半导体层上。如申请专利范围第1项所述之发光二极体，更至少包括：一第二电性电极垫，位于部分之该第二电性半导体层上。如申请专利范围第1项所述之发光二极体，更至少包括一保护层覆盖在该发光磊晶结构、部分之该第二电性电极垫以及部分之该第一电性电极垫上。如申请专利范围第8项所述之发光二极体，其中该反射结构位于该保护层之上。如申请专利范围第1项所述之发光二极体，其中该反射结构系一环状结构，而完全围绕在该发光层之外围。如申请专利范围第1项所述之发光二极体，其中该反射结构局部性地围绕在该发光层之外。如申请专利范围第1项所述之发光二极体，其中该发光磊晶结构位于该基板之一表面之一部分上，且该反射结构位于该基板之该表面之另一部分之上。如申请专利范围第1项所述之发光二极体，其中该反射结构与该发光层之间的距离小于50μm。如申请专利范围第1项所述之发光二极体，其中该反射结构之高度介于0.5μm与50μm之间。如申请专利范围第1项所述之发光二极体，其中该反射结构朝向该发光层之一内侧面之倾斜角度系介于大于0度至小于90度之间。如申请专利范围第1项所述之发光二极体，其中该反射结构至少包括一主体结构以及一反射层至少披覆在该主体结构朝向该发光层之一内侧面上。如申请专利范围第16项所述之发光二极体，其中该主体结构之材料为高透明耐热且抗腐蚀性之材料。如申请专利范围第16项所述之发光二极体，其中该主体结构之材料为光阻。如申请专利范围第17项所述之发光二极体，其中该主体结构之材料为旋转涂布玻璃材料。如申请专利范围第16项所述之发光二极体，其中该反射层之材料为高反射率金属。如申请专利范围第20项所述之发光二极体，其中该反射层之材料系选自于由银、铝及其合金所组成之一族群。如申请专利范围第16项所述之发光二极体，其中该反射层包括一二氧化钛/二氧化矽分布式布拉格反射结构。如申请专利范围第1项所述之发光二极体，更至少包括一封胶层填入该反射结构所包围之区域中。一种发光二极体之制造方法，至少包括：形成一发光磊晶结构于一基板之一部分上，其中该发光磊晶结构至少包括依序堆叠在该基板之一第一电性半导体层、一发光层、以及一第二电性半导体层，且该第一电性半导体层与该第二电性半导体层具不同电性；移除部分之该发光磊晶结构；形成一第一电性电极垫电性连接于该第一电性半导体层；形成一第二电性电极垫电性连接于该第二电性半导体层；形成一保护层覆盖在该发光磊晶结构、部分之该第二电性电极垫以及部分之该第一电性电极垫上；以及形成一反射结构围绕在该发光层的外围且位于该保护层上，以反射该发光层之侧光。如申请专利范围第24项所述之发光二极体之制造方法，其中该基板之材料为蓝宝石或碳化矽。如申请专利范围第24项所述之发光二极体之制造方法，其中该第一电性半导体层之材料为n型氮化镓系列材料。如申请专利范围第24项所述之发光二极体之制造方法，其中该第二电性半导体层之材料为p型氮化镓系列材料。如申请专利范围第24项所述之发光二极体之制造方法，其中该发光层包括一多重量子井结构。如申请专利范围第24项所述之发光二极体之制造方法，于移除部分之该发光磊晶结构之步骤与形成该第一及第二电性电极垫之步骤之间，更至少包括形成一透明接触层覆盖在该第二电性半导体层上。如申请专利范围第24项所述之发光二极体之制造方法，该第一电性电极垫与该发光层之间具有一间隔，且该反射结构介于该发光层与该第一电性电极垫之间。如申请专利范围第24项所述之发光二极体之制造方法，其中该第一电性电极垫位于该反射结构之内侧。如申请专利范围第24项所述之发光二极体之制造方法，其中反射结构系一环状结构，而完全围绕在该发光层之外围。如申请专利范围第24项所述之发光二极体之制造方法，其中该反射结构局部性地围绕在该发光层之外。如申请专利范围第24项所述之发光二极体之制造方法，其中该反射结构位于该基板之另一部分之上。如申请专利范围第24项所述之发光二极体之制造方法，其中该反射结构与该发光层之间的距离小于50μm。如申请专利范围第24项所述之发光二极体之制造方法，其中该反射结构之高度介于0.5μm与50μm之间。如申请专利范围第24项所述之发光二极体之制造方法，其中该反射结构朝向该发光层之一内侧面之倾斜角度介于大于0度至小于90度之间。如申请专利范围第24项所述之发光二极体之制造方法，其中形成该反射结构之步骤至少包括：形成一主体结构于该发光层之外围；以及形成一反射层至少披覆在该主体结构朝向该发光层之一内侧面上。如申请专利范围第38项所述之发光二极体之制造方法，其中该主体结构之材料为高透明耐热且抗腐蚀性之材料。如申请专利范围第39项所述之发光二极体之制造方法，其中该主体结构之材料为光阻。如申请专利范围第39项所述之发光二极体之制造方法，其中该主体结构之材料为旋转涂布玻璃材料。如申请专利范围第38项所述之发光二极体之制造方法，其中该反射层之材料为高反射率金属。如申请专利范围第42项所述之发光二极体之制造方法，其中该反射层之材料系选自于由银、铝及其合金所组成之一族群。如申请专利范围第38项所述之发光二极体之制造方法，其中该反射层包括一二氧化钛/二氧化矽分布式布拉格反射结构。如申请专利范围第24项所述之发光二极体之制造方法，于形成该反射结构之步骤后，更至少包括形成一封胶层填入该反射结构所包围之区域中。 |
