| 发明名称 | 制造磁畴数据存储装置的方法 | ||
| 摘要 | 示例性实施例可提供使用磁畴壁移动的数据存储装置的制造方法，该方法包括以下步骤：采用第一聚合物涂基底；使用图案化的主模压制第一聚合物；硬化第一聚合物；从第一聚合物分离主模；采用第二磁层涂第一聚合物；采用第一磁层涂第二磁层；采用第二聚合物涂第一磁层；使用图案化的主模压制第二聚合物；在第一磁层和第二聚合物上形成覆盖层；通过蚀刻去除覆盖层和第一磁层的上部。 | ||
| 申请公布号 | CN101982894A | 申请公布日期 | 2011.03.02 |
| 申请号 | CN201010286374.6 | 申请日期 | 2008.01.02 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 林志庆 |
| 分类号 | H01L43/12(2006.01)I;G11C11/14(2006.01)I | 主分类号 | H01L43/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人 | 韩明星;李娜娜 |
| 主权项 | 一种制造磁畴数据存储装置的方法，所述方法包括：采用第一聚合物涂基底；使用图案化的主模压制所述第一聚合物；硬化第一聚合物；从第一聚合物分离主模；采用第二磁层涂所述第一聚合物；采用第一磁层涂所述第二磁层；采用第二聚合物涂所述第一磁层；使用所述图案化的主模压制所述第二聚合物；在所述第一磁层和所述第二聚合物上形成覆盖层；通过蚀刻去除所述覆盖层和第一磁层的上部。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市 | ||